非ハロゲン系溶媒を用いたベンゾチエノベンゾチオフェン有機電界効果トランジスタの高性能化

DOI Web Site
  • 中道 諒介
    大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻
  • 木村 友
    大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻
  • 永瀬 隆
    大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 大阪府立大学分子エレクトロニックデバイス研究所
  • 小林 隆史
    大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 大阪府立大学分子エレクトロニックデバイス研究所
  • 瀧宮 和男
    広島大学大学院工学研究科応用化学専攻 理化学研究所創発物性科学研究センター
  • 濱田 雅裕
    日本化薬株式会社研究企画部
  • 内藤 裕義
    大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 大阪府立大学分子エレクトロニックデバイス研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Performance Improvement of Benzothienobenzothiophene-Based Organic Field-Effect Transistors Processed from Halogen-Free Solvents
  • ヒハロゲンケイ ヨウバイ オ モチイタ ベンゾチエノベンゾチオフェン ユウキ デンカイ コウカ トランジスタ ノ コウセイノウカ

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抄録

有機電界効果トランジスタ (OFET) の溶液プロセスにおける環境負荷低減のため，非ハロゲン系溶媒を用いて成膜した2,7-dioctyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene (C8-BTBT) を半導体層として有する塗布型トップゲートOFETの高性能化を検討した．熱架橋poly (4-vinylphenol) 層を塗布した基板を用いることで，非ハロゲン系溶媒のトルエン及びシクロヘキサノンを用いたOFETの素子特性の改善が可能であることが分かった．非ハロゲン系溶媒を用いてスピンコート法により作製したOFETにおいて，クロロベンゼンから作製した素子に匹敵する4cm2 V-1 s-1を超える移動度や優れたサブスレッショルド特性を達成した．

収録刊行物

  • 日本画像学会誌

    日本画像学会誌 54 (2), 109-114, 2015

    一般社団法人 日本画像学会

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