半導体検査用片持ち梁型シリコンプローブの三次元配線プロセス

• 青野 宇紀

  （株）日立製作所 日立研究所

• 金丸 昌敏

  （株）日立製作所 日立研究所

• 河野 竜治

  （株）日立製作所 日立研究所

• 細金 敦

  （株）日立製作所 日立研究所

書誌事項

タイトル別名

• Three-Dimensional Wiring Fabricating Process of Cantilever-type Silicon Probe for Semiconductor Testing
• ハンドウタイ ケンサヨウ カタモチリョウガタ シリコンプローブ ノ サンジゲン ハイセン プロセス

抄録

A fabricating method of three-dimensional wirings on a cantilever-type silicon probe has been developed for a semiconductor testing. The cantilever-type silicon probe consists of probe-tips, cantilevers, apertures and three-dimensional wirings. The wiring is connected from probe-tip to back-side electrode via cantilever edge, cantilever backside and aperture side-wall. The problem of the cantilever-type silicon probe is that breakings of wiring occur at the cantilever edge and the aperture edge. The shapes of the cantilever edge and the aperture edge are optimized by applying a compensation mask and a roof-removal mask, respectively. We fabricate the cantilever-type silicon probe without breaking of wiring in 1216 pins, and confirm to be able to contact aluminum electrodes on the semiconductor.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）

  電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌） 135 (8), 349-354, 2015

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• 片持ち梁
• プローブカード
• 異方性エッチング
• 三次元配線
• 半導体検査

詳細情報

• CRID: 1390001204461140224
• NII論文ID: 130005090451
• NII書誌ID: AN1052634X
• DOI: 10.1541/ieejsmas.135.349
• ISSN: 13475525
• ISSN: 13418939
• NDL書誌ID: 026677100
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026677100
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/135/8/135_349/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可