パルスレーザー堆積した室温成長エピタキシャル薄膜における熱処理後のナノ溝配列形成に及ぼす原子ステップ単結晶基板の影響

• 松田 晃史

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻

• 笠原 正靖

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻

• 吉本 護

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻

書誌事項

タイトル別名

• Effect of Atomically-stepped Single Crystal Substrates on Surface Formation of Nanogroove Arrays after Annealing of Epitaxial Thin Films Grown at Room-temperature by Pulsed Laser Deposition

抄録

The influence of single crystal substrates on self-organized formation of surface nanogroove arrays after annealing of room-temperature grown NiO(111) epitaxial thin films was investigated. It was found that the different structural symmetry of NiO crystal domains on adjacent atomic terraces on the atomically stepped sapphire substrates significantly affected the formation of nanogrooves.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）

  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 135 (9), 1096-1097, 2015

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• パルスレーザー堆積
• 室温
• 原子ステップ
• 酸化物薄膜
• ナノ構造
• 自己組織化

詳細情報

• CRID: 1390282679584732800
• NII論文ID: 130005096933
• DOI: 10.1541/ieejeiss.135.1096
• ISSN: 13488155
• ISSN: 03854221
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/135/9/135_1096/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可