書誌事項
- タイトル別名
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- GaN MISFETs Using Tilt Angle Ion Implantation of Magnesium
- Mg ナナメ イオン チュウニュウ GaN MISFET
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抄録
This paper demonstrates the impact of tilted Mg ion implantation for the threshold voltage control of GaN MISFETs for the first time. The threshold voltage of the MISFETs by using Mg implantation shifts up to -1 V, whereas that without Mg ion implantation is about -8 V. The GaN MISFET achieved maximum drain current of 165 mA/mm and an extrinsic transconductance of 30 mS/mm. These results indicate a definite availability of our process in normally-off GaN MISFETs for power switching device applications.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)
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電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) 136 (4), 444-448, 2016
一般社団法人 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001204608048896
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- NII論文ID
- 130005141658
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- NII書誌ID
- AN10065950
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- ISSN
- 13488155
- 03854221
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- NDL書誌ID
- 027298377
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可