Si基板上3C-SiC薄膜へのイオンビーム照射を用いたグラフェン成長に関する研究

• Ishii Junko

  Kyushu Institute of Technology

• Tsuboi Naoya

  Kyushu Institute of Technology

• Hayahisa Kazuki

  Kyushu Institute of Technology

• Okano Motochika

  Kyushu Institute of Technology

• Ikari Tomonori

  Ube National College of Technology

• Nakao Motoi

  Kyushu Institute of Technology

• Naitoh Masamichi

  Kyushu Institute of Technology

Abstract

絶縁体上のSiC基板でのグラフェン形成は、グラフェンの生産性とデバイス応用の面から期待される。本研究では、3C-SiC/SiO2/Si基板上へイオンビーム照射をした後、UHV内において1200℃で1分間アニールする表面分解法により、エピタキシャルグラフェン形成を行った。STM観察とXPS測定を行い、イオンビーム照射強度とグラフェン形成への影響について評価する。

Journal

• Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan

  Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 34 (0), 52-, 2014

  The Japan Society of Vacuum and Surface Science

Keywords

• 薄膜
• グラフェン
• STM
• Ｘ線分光

Details

• CRID: 1390282680654671104
• NII Article ID: 130005481151
• DOI: 10.14886/sssj2008.34.0_52
• Data Source:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• Abstract License Flag: Disallowed