Hot-Wall法でAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上に成膜したBiI<sub>3</sub>薄膜の成膜速度依存性

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タイトル別名
  • Evaporation Rate Dependence of BiI<sub>3</sub> Thin Films Grown on Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Substrate by a Hot-Wall Technique

抄録

<p>我々はHot-Wall法を用いてBiI_3_薄膜においてファン・デル・ワールス・エピタキシによる積層欠陥の人工制御の実現とそれに束縛された積層欠陥励起子状態の光物性の解明を目指している。今回の発表ではAl_2_O_3_基板上に成膜した試料のX線回折と吸収スペクトルから試料の成膜速度依存性について報告する。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205958641408
  • NII論文ID
    130006244034
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1357
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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