サファイヤ基板上のAl添加ZnO薄膜の極性

• 安達　 裕

  物材機構

• 大橋 直樹

  物材機構

• 大垣 武

  物材機構

• 坂口 勲

  物材機構

• 羽田 肇

  物材機構

• 吉川 英樹

  物材機構

• 上田 茂典

  物材機構

• 小林 啓介

  物材機構

• 大西 剛

  東大物性研

• Lippmaa Mikk

  東大物性研

書誌事項

タイトル別名

• Polarity of Al-doped ZnO films grown on sapphire substrates

抄録

ZnOは室温で大きな励起子結合エネルギーを有することから高効率な発光素子への応用が期待されている。ZnOはc軸方向に極性を有し、その極性はZnOの物性に大きな影響を与える。よって、ZnO薄膜の極性制御はデバイス応用にとって重要な課題である。我々は前回、a面サファイヤ基板上に作製した無添加のZnO薄膜は-c極性であるのに対し、Al添加ZnO薄膜は+c極性であることを報告した。本研究ではAl添加濃度および薄膜成長温度がZnO薄膜の極性に与える影響について調査したので、その結果について報告する。

収録刊行物

• 日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集

  日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2008F (0), 231-231, 2008

  公益社団法人 日本セラミックス協会

キーワード

• パルス・レーザー・デポジション
• 酸化亜鉛
• 極性
• 同軸形直衝突イオン散乱分光
• X線光電子分光

詳細情報

• CRID: 1390001205615037568
• NII論文ID: 130006971586
• DOI: 10.14853/pcersj.2008f.0.231.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可