ナノ秒オーダーパルス電場下の強誘電体薄膜からの格子歪解析のためのシンクロトロンＸ線回折法の開発

• 坂田 修身

  高輝度光科学研究センター 独立行政法人科学技術振興機構　戦略的創造研究推進事業

• 安井 伸太郎

  東京工業大学大学院

• 藤澤 隆志

  東京工業大学大学院

• 加茂 嵩史

  東京工業大学大学院

• 中嶋 誠二

  大阪大学大学院

• 奥山 雅則

  大阪大学大学院

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院

書誌事項

タイトル別名

• Development of a synchrotron-based nano-sec-order time-resolved diffraction method for in-situ lattice-strain analysis of ferroelectric thin films under an applied pulse electric field

抄録

ナノ秒オーダーのパルス電場によって薄膜内で誘起される格子歪を検出する時分割Ｘ線測定と誘電率の高速測定を組み合わせた新しいシンクロトロン回折法を開発した。エピタキシャル成長させた強誘電体単結晶薄膜（Pb(Zr_xTi_1-x)O₃(PZT)、BiFeO₃(BFO)）やBFO多結晶薄膜の構造評価にその方法を適用した。すなわち、パルス状の入射単色Ｘ線と試料への印加電場をタイミング制御し、生じるブラッグ反射近傍の回折強度を角度、時間の関数として記録した。その結果、ナノ秒オーダーの電場印加によって誘起される格子歪（約0.01%レベルまで）を検出できた。さらに、回折ピークシフトから圧電定数d₃₃を見積った。

収録刊行物

• 日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集

  日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2008F (0), 119-119, 2008

  公益社団法人 日本セラミックス協会

キーワード

• パルス電気歪
• 高速誘電率測定とナノ秒時分割X線回折の組み合わせ

詳細情報

• CRID: 1390282680592153344
• NII論文ID: 130006972253
• DOI: 10.14853/pcersj.2008f.0.119.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可