ハンクス溶液中におけるCVD CaTiO<sub>3</sub>膜へのHAp生成
書誌事項
- タイトル別名
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- Growth of HAp on the CVD CaTiO<sub>3</sub> film in Hank's solution
抄録
縦型コールドウォール式CVD装置を用い、Ca(dpm)2およびTi(OiPr)2(dpm)2によりCaTiO3膜を作製した。基板温度が973、1073 Kでは原料モル比が約1のとき、CaTiO3単一相が得られたが、873 KではCaTiO3とCaOの混合相が得られた。膜の微細組織波、基板温度の上昇に伴いCaTiO3膜の断面組織は緻密構造から柱状晶へと変化した。成膜速度は基板温度の上昇および反応室内圧力の減少とともに増大し、基板温度1073 K、反応室内圧力0.4 kPaでは最大であった。ハンクス溶液中におけるHApの生成を調べた。
収録刊行物
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- 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
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日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2006S (0), 591-591, 2006
公益社団法人 日本セラミックス協会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205616444928
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- NII論文ID
- 130006973887
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可