Memory Operation and Electron Charging Characteristics of Silicon Quantum-Dot Floating-Gate MOSFETs

• A. Kohno

• M. Ikeda

• H. Murakami

書誌事項

タイトル別名

• Memory Operation and Electron Charging Characteristics of Silicon Quantum Dot Floating Gate MOSFETs
• 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2001)
• 2001 Asia Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices AWAD 2001

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101 (163), 105-109, 2001-07-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• silicon quantum-dot
• MOS memory
• floating gate
• electron charging
• multiple-step charging

詳細情報

• CRID: 1520290884222419840
• NII論文ID: 110003201370
• NII論文ID: 40004672652
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 5874209
• NDL書誌ID: 5873953
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5874209
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5873953
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles