ガスクラスタイオンビーム(GCIB)装置「nFusion」--次世代半導体素子におけるプロセスの提案

• M. Gwinn

• Y. Shao

• J. Hautala

書誌事項

タイトル別名

• ガス クラスタ イオン ビーム GCIB ソウチ nFusion ジ セダイ ハンドウタイ ソシ ニ オケル プロセス ノ テイアン
• 全冊特集 ナノプロセス時代の半導体製造装置
• ゼン サツ トクシュウ ナノプロセス ジダイ ノ ハンドウタイ セイゾウ ソウチ

収録刊行物

• 電子材料

  電子材料 44 (3), 39-43, 2005-03

  東京 : 工業調査会

詳細情報

• CRID: 1523951030338487040
• NII論文ID: 40006645397
• NII書誌ID: AN00153166
• ISSN: 03870774
• NDL書誌ID: 7267911
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7267911
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7267911
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles