Nonvolatile Power-Gating Field-Programmable Gate Array Using Nonvolatile Static Random Access Memory and Nonvolatile Flip-Flops Based on Pseudo-Spin-Transistor Architecture with Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions

書誌事項

タイトル別名
  • Special Issue : Applied Physics on Materials Research

この論文をさがす

収録刊行物

被引用文献 (30)*注記

もっと見る

参考文献 (11)*注記

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ