塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング

• 畑山 智亮

• 堀 良太

• 田村 哲也

書誌事項

タイトル別名

• エンソケイ ガス ニ ヨル SiC ノ プラズマレス ・ エッチング
• Plasmaless Etching of Silicon Carbide Using Chlorine Based Gas
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (337), 7-12, 2012-12-07

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 炭化ケイ素
• エッチング
• プラズマレス
• 塩素
• 酸素
• 結晶面
• 電子線起電流
• 転位
• SiC
• etching
• plasmaless
• chlorine
• oxygen
• crystal planes
• EBIC
• dislocation

詳細情報

• CRID: 1520853832573511296
• NII論文ID: 110009667295
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 024197131
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024197131
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles