炭化ケイ素基板研磨のための電界砥粒分布制御研磨に関する研究

• 久住 孝幸

  秋田県産業技術センター 名古屋大学

• 佐藤 安弘

  秋田県産業技術センター

• 池田 洋

  秋田県産業技術センター

• 赤上 陽一

  秋田県産業技術センター

• 梅原 徳次

  名古屋大学

書誌事項

タイトル別名

• The Development of AC Electric Field Assisted Polishing for Silicon Carbide Substrates with Control of Abrasive Behavior
• 炭化ケイ素基板研磨のための電界砥粒分布制御研磨に関する研究 : 電界による研磨率向上メカニズムの検討
• タンカ ケイソ キバン ケンマ ノ タメ ノ デンカイトリュウ ブンプ セイギョ ケンマ ニ カンスル ケンキュウ : デンカイ ニ ヨル ケンマリツ コウジョウ メカニズム ノ ケントウ
• —Clarification of Improvement Mechanism for Polishing Rate with Electric Field—
• —電界による研磨率向上メカニズムの検討—

抄録

Authors have been developed a novel polishing method for silicon carbide substrate using functional fluids which are dispersed abrasives with silicone fluid. Behavior of abrasive can be controlled with electric field. In this report, we have confirmed the improved polishing rate in proportion to electric field strength, and the change for slurry characteristics by the solvent viscosity. And, we considered the improvement mechanism factor for polishing rate using controlled slurry under AC electric field in viewpoints of the number of active abrasives in polishing and the electric attractive pressure between polishing pad and workpiece.

収録刊行物

• 精密工学会誌

  精密工学会誌 79 (1), 87-92, 2013

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• AC electric field
• polishing rate
• silicon carbide substrate
• abrasives
• attractive force
• silicone fluid

詳細情報

• CRID: 1390001204829965184
• NII論文ID: 130003369772
• NII書誌ID: AN1003250X
• DOI: 10.2493/jjspe.79.87
• ISSN: 1882675X
• ISSN: 09120289
• NDL書誌ID: 024214664
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024214664
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可