GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価

• 井手 利英

• 鍛冶 良作

• 清水 三聡

書誌事項

タイトル別名

• GaN-HEMT スイッチング カイロ ニ オケル フヨウ デンジハ ノ ホウシャ トクセイ ノ ヒョウカ
• Evaluation of unwanted radiated emission from GaN-HEMT switching circuit
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (329), 117-120, 2013-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• HEMT
• スイッチング
• 電磁波
• 等価回路モデル
• switching
• electromagnetic field
• equivalent circuit model

詳細情報

• CRID: 1520009410144122368
• NII論文ID: 110009888000
• NII論文ID: 110009889642
• NII論文ID: 110009888026
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025087488
• NDL書誌ID: 025087684
• NDL書誌ID: 025088101
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087488
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087684
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025088101
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles