ALD法で作製したAl₂O₃(Ta/Nb)Ox/Al₂O₃多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価

• 生田目 俊秀

• 大井 暁彦

• 伊藤 和博

書誌事項

タイトル別名

• ALDホウ デ サクセイ シタ Al ₂ O ₃(Ta/Nb)Ox/Al ₂ O ₃ タソウ コウゾウ ノ チャージトラップフラッシュメモリー ノ ヒョウカ
• Characteristics of charge trap flash memory with Al₂O₃(Ta/Nb)Ox/Al₂O₃ multi-layer by ALD method
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (88), 31-35, 2014-06-19

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• Al₂O₃(Ta/Nb)Ox
• チャージトラップフラッシュメモリ
• ALD
• Charge trap flash memory

詳細情報

• CRID: 1520572358912719104
• NII論文ID: 110009925374
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025590187
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025590187
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles