3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討

• 野口 宗隆

• 岩松 俊明

• 三浦 成久

書誌事項

タイトル別名

• 3C/4H イシュ ポリタイプ セツゴウ オ ユウスル SiC MOSFET ニ タイスル ケントウ
• Investigation of SiC MOSFETs with 3C/4H Different Poly-Type Junctions
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115 (108), 17-20, 2015-06-19

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• SiC
• MOSFET
• ヘテロ接合
• トンネル電流
• Hetero junction
• Tunneling

詳細情報

• CRID: 1520572356977369984
• NII論文ID: 40020523643
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 026587249
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026587249
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles