Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process

• 門 圭佑

• 上沼 睦典

• 鍋坂 恭平

書誌事項

タイトル別名

• 非晶質InGaZnO-TFTプロセスと完全互換なReRAMに関する研究
• ヒショウシツ InGaZnO-TFT プロセス ト カンゼン ゴカン ナ ReRAM ニ カンスル ケンキュウ
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115 (108), 75-80, 2015-06-19

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 発熱解析
• a-InGaZnO
• 抵抗変化
• ReRAM
• 導電性フィラメント
• Thermal analysis
• Resistive switching
• Conductive filament

詳細情報

• CRID: 1520853832074642944
• NII論文ID: 40020523976
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 026587980
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026587980
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles