電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性

• 喜田 弘文

• 熊崎 祐介

• 谷田部 然治

Bibliographic Information

Other Title

• デンキ カガクテキ シュホウ ニ ヨル GaN タコウシツ コウゾウ ノ ケイセイ ト シガイコウ オウトウ トクセイ
• Electrochemical formation and UV photoresponse properties of GaN porous structures
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115 (170), 51-54, 2015-08

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• 多孔質構造
• 窒化ガリウム
• 光電流
• バンド端吸収のレッドシフト
• porous structure
• gallium nitride
• photocurrents
• redshift of bandedge photoabsorption

Details

• CRID: 1520290882931614720
• NII Article ID: 40020588898
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 026740493
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026740493
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles