表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性

• 林 朋宏

• 梁 剣波

• 新井 学

書誌事項

タイトル別名

• ヒョウメン カッセイカ ボンディングホウ ニ ヨル Si/SiC セツゴウ ノ デンキ トクセイ
• Electrical characteristics of Si/SiC junctions using surface activated bonding
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ・ ザイリョウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115 (330), 111-115, 2015-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 表面活性化ボンディング法
• SiC
• -Si
• -ヘテロ接合
• 界面準位

詳細情報

• CRID: 1520009407799797760
• NII論文ID: 40020676631
• NII論文ID: 40020676761
• NII論文ID: 40020676493
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 026981365
• NDL書誌ID: 026981517
• NDL書誌ID: 026981191
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/026981365
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026981365
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/026981517
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026981517
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/026981191
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026981191
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles