3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現

• 濱田 憲治

• 日野 史郎

• 三浦 成久

書誌事項

タイトル別名

• 3.3kV タイアツ SiC-MOSFET ノ テイテイコウカ ギジュツ ト セカイ ハツ テツドウ シャリョウヨウ フル SiC テキヨウ インバータ ノ ジツゲン
• Low On-resistance SiC-MOSFET with Blocking Voltage of 3.3 kV and Realization of the World's First All-SiC Traction Inverter
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115 (402), 7-12, 2016-01-20

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 3.3kV
• 4H-SiC
• MOSFET
• インバータ
• inverter

詳細情報

• CRID: 1520572357304228480
• NII論文ID: 40020737644
• NII論文ID: 40020998845
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 027109958
• NDL書誌ID: 027732859
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027109958
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027732859
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles