チャージポンピング法による単一界面トラップ（欠陥）の検出と評価

• 土屋 敏章

  島根大学 大学院総合理工学研究科機械・電気電子工学領域

書誌事項

タイトル別名

• Detection and characterization of single MOS interface traps by the charge pumping method
• チャージポンピングホウ ニ ヨル タンイツ カイメン トラップ(ケッカン)ノ ケンシュツ ト ヒョウカ

抄録

チャージポンピング（CP）法を用いて，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する手法を考案し，全く新しい視点でトラップ物理の解明を進めた．従来のCP理論の根幹であるトラップ1個当たりの最大CP電流I_CPMAX=fq（fはゲートパルス周波数，qは電子電荷）は誤りであり，0〜2fqのさまざまな値をとることを実証した．この結果は，界面トラップの正体がP_bセンタであることを支持しており，さまざまなI_CPMAXを示す原因がトラップ準位対の形態の違いにあることを実証した．また，単一トラップのエネルギー準位密度分布（DOS）を導出し，P_b0センタのDOSと酷似していることを示すとともに，界面トラップのDOSはU字型とする定説に疑問を呈した．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 85 (5), 422-426, 2016-05-10

  公益社団法人 応用物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001277355131648
• NII論文ID: 130007715381
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.85.5_422
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 027347534
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027347534
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可