水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT

• 尾崎 史朗

• 牧山 剛三

• 多木 俊裕

• 鎌田 陽一

• 佐藤 優

• 新井田 佳孝

• 岡本 直哉

• 常信 和清

書誌事項

タイトル別名

• スイジョウキ オ モチイタ ヒョウメン サンカ セイギョ InAlN/GaN MOS-HEMT
• Surface-oxide-controlled InAlN/GaN MOS-HEMT Using Water Vapor
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 (158), 1-4, 2016-07

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• InAlN/GaN MOS-HEMT
• ゲートリーク電流
• 電流コラプス
• 水蒸気
• Gate leakage
• Current collapse
• Water vapor

詳細情報

• CRID: 1520290883520615040
• NII論文ID: 40020907604
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 027543053
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/027543053
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027543053
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles