GaN HEMTの高温通電劣化への窒化膜電気伝導の影響

• 広瀬 真由美

• 松下 景一

• 高木 一考

書誌事項

タイトル別名

• GaN HEMT ノ コウオン ツウデン レッカ エ ノ チッカマク デンキ デンドウ ノ エイキョウ
• High-temperature GaN HEMT Degradation Affected by Silicon Nitride Film Conductivity
• 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
• デンシ デバイス ケンキュウカイ ジセダイ カゴウブツ ハンドウタイ デバイス ノ キノウ ト オウヨウ

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]

  電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2016 (36-45), 49-53, 2016-03

  東京 : 電気学会

キーワード

• GaN
• HEMT
• 信頼性
• シミュレーション
• 窒化膜
• 界面準位
• reliability
• simulation
• silicon nitride
• interface states

詳細情報

• CRID: 1520572359939298048
• NII論文ID: 40020998933
• NII書誌ID: AN1044178X
• NDL書誌ID: 027732988
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027732988
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles