General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO₂ formation

• L. Xu

• S. Shibayama

• K. Izukashi

• T. Nishimura

• T. Yajima

• S. Migita

• A. Toriumi

書誌事項

タイトル別名

• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 (448), 29-32, 2017-01-30

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ferroelectric HfO₂
• dopants
• N doping
• FeFETs

詳細情報

• CRID: 1520572358791981568
• NII論文ID: 40021101728
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 027988591
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027988591
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles