依頼講演 HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証
書誌事項
- タイトル別名
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- イライ コウエン HfO キョウ ユウデンタイ ハクマク オ モチイタ トンネル セツゴウ メモリ(FTJ)ノ ドウサ ジッショウ
- Demonstration of HfO₂-Based Ferroelectric Tunnel Junction (FTJ)
- 集積回路
- シュウセキ カイロ
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117 (9), 85-88, 2017-04
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290882622452224
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- NII論文ID
- 40021187959
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 028167232
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles