画素内埋め込み保持部と横型オーバーフロー蓄積容量を用いた224ke-飽和電荷数を有する3.875um□グローバルシャッタCMOSイメージセンサ

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  • 酒井 伸
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 坂野 頼人
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 田代 睦聡
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 加藤 祐理
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 秋山 健太郎
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 本田 勝巳
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 佐藤 守
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 榊原 雅樹
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 田浦 忠行
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 浅見 健司
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 平野 智之
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 大池 祐輔
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 十河 康則
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 江崎 孝之
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 奈良部 忠邦
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 平山 照峰
    ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）
  • 須川 成利
    東北大学大学院

書誌事項

タイトル別名
  • 224-ke Saturation Signal Global Shutter CMOS Image Sensor with In-pixel Pinned Storage and Lateral Overflow Integration Capacitor
  • 画素内埋め込み保持部と横型オーバーフロー蓄積容量を用いた224ke-飽和電荷数を有する3.875μm□グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
  • ガソ ナイ ウメコミ ホジブ ト ヨコガタ オーバーフロー チクセキ ヨウリョウ オ モチイタ 224ke-ホウワ デンカスウ オ ユウスル 3.875mm □ グローバルシャッタ CMOS イメージセンサ

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抄録

画素内に電荷保持部を持つことでグローバルシャッタを備えたCMOSイメージセンサ(CIS)は、高い飽和電荷数を達成することが課題となっている。本稿では、画素内埋め込み保持部(PST)と横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC)を備えることで、画素ピッチ3.875µm□で飽和電荷数を224ke−に拡大した単一露光グローバルシャッタCISを報告する。本CISは単位面積当たりの飽和電荷数として14.9ke−/µm^2を実現している。この画素は、PSTにより暗部および低照度条件下で画質を劣化させることなく、LOFICを使用して蓄積することで大きな飽和電荷数を達成している。

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