窒化物半導体集積回路プロセスの検討 : Siイオン注入による閾値制御の試み

• 岡田 浩

• 横山 太一

• 三輪 清允

• 山根 啓輔

• 若原 昭浩

• 関口 寛人

書誌事項

タイトル別名

• チッカブツ ハンドウタイ シュウセキ カイロ プロセス ノ ケントウ : Si イオン チュウニュウ ニ ヨル イキチ セイギョ ノ ココロミ
• Study of Fabrication Process for Nitride-based Semiconductor Integrated Circuits : Threshold voltage control by Si-ion implantation
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ・ ザイリョウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119 (35), 77-80, 2019-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• Siイオン注入
• MOSダイオード
• 容量-電圧(C-V)特性
• Si ion implantation
• MOS diode
• capacitance-voltage (C-V) characteristics

詳細情報

• CRID: 1520290883106393984
• NII論文ID: 40021915284
• NII論文ID: 40021913333
• NII論文ID: 40021913000
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 029726701
• NDL書誌ID: 029722483
• NDL書誌ID: 029722856
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029726701
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029722483
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029722856
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles