熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

• 小林 征登

• 大田 晃生

• 黒澤 昌志

• 洗平 昌晃

• 田岡 紀之

• 池田 弥央

• 牧原 克典

• 宮﨑 誠一

書誌事項

タイトル別名

• ネツ ショリ ニ ヨル Al/Ge(111)ウエ ノ ゴクウス Geソウ ケイセイ
• Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface by Thermal Annealing
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119 (96), 11-15, 2019-06-21

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ゲルマニウム (Ge)
• 結晶成長
• 薄膜
• 化学構造
• Germanium (Ge)
• Crystal Growth
• Thin Film
• Chemical Structure

詳細情報

• CRID: 1520290883608780032
• NII論文ID: 40021938966
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 029783970
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029783970
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles