In-Ga-Al-Sb系混晶のLPE成長に関する研究 Liquid Phase Epitaxial Growth of the Alloy Semiconductors in In-Ga-Al-Sb System

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 大島, 久純 オオシマ, ヒサヨシ

書誌事項

タイトル

In-Ga-Al-Sb系混晶のLPE成長に関する研究

タイトル別名

Liquid Phase Epitaxial Growth of the Alloy Semiconductors in In-Ga-Al-Sb System

著者名

大島, 久純

著者別名

オオシマ, ヒサヨシ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第28号

学位授与年月日

1986-03-20

注記・抄録

博士論文

doctoral

電子科学研究科

甲第28号

0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000003203
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000003203
  • DOI(JaLC)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000167517
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
ページトップへ