高周波スパッタリングによる薄膜形成とMOS素子への応用に関する研究

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著者

    • 谷内, 利明 ヤチ, トシアキ

書誌事項

タイトル

高周波スパッタリングによる薄膜形成とMOS素子への応用に関する研究

著者名

谷内, 利明

著者別名

ヤチ, トシアキ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第14号

学位授与年月日

1986-09-30

注記・抄録

博士論文

doctoral

電子科学研究科

乙第14号

2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000006586
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000006586
  • DOI(JaLC)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000170900
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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