MOSスタティックRAMの高速化・高集積化に関する基礎的研究

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著者

    • 穴見, 健治 アナミ, ケンジ

書誌事項

タイトル

MOSスタティックRAMの高速化・高集積化に関する基礎的研究

著者名

穴見, 健治

著者別名

アナミ, ケンジ

学位授与大学

九州大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第3839号

学位授与年月日

1986-12-02

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000009860
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000009864
  • NDL書誌ID
    • 000000174174
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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