GaAs MESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究

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著者

    • 水谷, 孝 ミズタニ, タカシ

書誌事項

タイトル

GaAs MESFETの集積化およびGaAs集積回路用活性層の研究

著者名

水谷, 孝

著者別名

ミズタニ, タカシ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第2694号

学位授与年月日

1984-11-02

注記・抄録

博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:工学博士 (論文) 学位授与年月日:昭和59年11月2日

1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000010087
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000010092
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000174401
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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