Studies on 3-5 compound semiconductors on Si substrates grown by MOCVD MOCVD法によって成長したSi基板上の3-5化合物半導体に関する研究

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著者

    • 曽我, 哲夫 ソガ, テツオ

書誌事項

タイトル

Studies on 3-5 compound semiconductors on Si substrates grown by MOCVD

タイトル別名

MOCVD法によって成長したSi基板上の3-5化合物半導体に関する研究

著者名

曽我, 哲夫

著者別名

ソガ, テツオ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第1945号

学位授与年月日

1987-03-25

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000012154
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000012161
  • NDL書誌ID
    • 000000176468
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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