Studies on 3-5 compound semiconductors on Si substrates grown by MOCVD MOCVD法によって成長したSi基板上の3-5化合物半導体に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Studies on 3-5 compound semiconductors on Si substrates grown by MOCVD
- タイトル別名
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MOCVD法によって成長したSi基板上の3-5化合物半導体に関する研究
- 著者名
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曽我, 哲夫
- 著者別名
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ソガ, テツオ
- 学位授与大学
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名古屋大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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甲第1945号
- 学位授与年月日
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1987-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (4コマ目)