低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 大村, 悦司 オオムラ, エツジ

書誌事項

タイトル

低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究

著者名

大村, 悦司

著者別名

オオムラ, エツジ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第3572号

学位授与年月日

1985-03-04

注記・抄録

博士論文

06729

博士(工学)

1985-03-04

大阪大学

14401乙第03572号

0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000013633
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000013641
  • NDL書誌ID
    • 000000177947
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
ページトップへ