低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究
- Author
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大村, 悦司
- Author(Another name)
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オオムラ, エツジ
- University
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大阪大学
- Types of degree
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工学博士
- Grant ID
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乙第3572号
- Degree year
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1985-03-04
Note and Description
博士論文