Si表面とSi-Ge接合形成初期過程の角度分解電子分光による研究 Si ヒョウメン ト Si-Ge セツゴウ ケイセイ ショキ カテイ ノ カクド ブンカイ デンシ ブンコウ ニ ヨル ケンキュウ

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 長谷川, 繁彦 ハセガワ, シゲヒコ

書誌事項

タイトル

Si表面とSi-Ge接合形成初期過程の角度分解電子分光による研究

タイトル別名

Si ヒョウメン ト Si-Ge セツゴウ ケイセイ ショキ カテイ ノ カクド ブンカイ デンシ ブンコウ ニ ヨル ケンキュウ

著者名

長谷川, 繁彦

著者別名

ハセガワ, シゲヒコ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第3594号

学位授与年月日

1987-03-26

注記・抄録

博士論文

07733

博士(工学)

1987-03-26

大阪大学

14401甲第03594号

0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000014279
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000014288
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000178593
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
ページトップへ