Si表面とSi-Ge接合形成初期過程の角度分解電子分光による研究 Si ヒョウメン ト Si-Ge セツゴウ ケイセイ ショキ カテイ ノ カクド ブンカイ デンシ ブンコウ ニ ヨル ケンキュウ
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
Si表面とSi-Ge接合形成初期過程の角度分解電子分光による研究
- タイトル別名
-
Si ヒョウメン ト Si-Ge セツゴウ ケイセイ ショキ カテイ ノ カクド ブンカイ デンシ ブンコウ ニ ヨル ケンキュウ
- 著者名
-
長谷川, 繁彦
- 著者別名
-
ハセガワ, シゲヒコ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第3594号
- 学位授与年月日
-
1987-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (5コマ目)