微細MOSFETの低抵抗電極の研究

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著者

    • 長澤, 英二 ナガサワ, エイジ

書誌事項

タイトル

微細MOSFETの低抵抗電極の研究

著者名

長澤, 英二

著者別名

ナガサワ, エイジ

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第1782号

学位授与年月日

1987-03-03

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000015049
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000015059
  • NDL書誌ID
    • 000000179363
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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