イオン注入GaAs MESFETの動作特性と半絶縁化機構の関連性の研究

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著者

    • 小川, 真人 オガワ, マツト

書誌事項

タイトル

イオン注入GaAs MESFETの動作特性と半絶縁化機構の関連性の研究

著者名

小川, 真人

著者別名

オガワ, マツト

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第6728号

学位授与年月日

1985-03-29

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000018084
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000018106
  • NDL書誌ID
    • 000000182398
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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