イオン注入GaAs MESFETの動作特性と半絶縁化機構の関連性の研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
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イオン注入GaAs MESFETの動作特性と半絶縁化機構の関連性の研究
- Author
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小川, 真人
- Author(Another name)
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オガワ, マツト
- University
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東京大学
- Types of degree
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工学博士
- Grant ID
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甲第6728号
- Degree year
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1985-03-29
Note and Description
博士論文