Experimental study on deep levels and heterojunctions of Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors by the junction capacitance method 接合容量法によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の深い準位と、ヘテロ接合に関する実験的研究

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著者

    • 渡邉, 美代子 ワタナベ, ミヨコ

書誌事項

タイトル

Experimental study on deep levels and heterojunctions of Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors by the junction capacitance method

タイトル別名

接合容量法によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の深い準位と、ヘテロ接合に関する実験的研究

著者名

渡邉, 美代子

著者別名

ワタナベ, ミヨコ

学位授与大学

東京理科大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

乙第227号

学位授与年月日

1986-09-30

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000020738
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000020763
  • NDL書誌ID
    • 000000185052
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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