イオン化蒸着法による化合物半導体薄膜の成長に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 田村, 進 タムラ, ススム

書誌事項

タイトル

イオン化蒸着法による化合物半導体薄膜の成長に関する研究

著者名

田村, 進

著者別名

タムラ, ススム

学位授与大学

関西大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第108号

学位授与年月日

1987-09-26

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000021591
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000021616
  • NDL書誌ID
    • 000000185905
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
ページトップへ