半導体メモリの大容量化と高性能化に関する基礎的研究

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著者

    • 藤島, 一康 フジシマ, カズヤス

書誌事項

タイトル

半導体メモリの大容量化と高性能化に関する基礎的研究

著者名

藤島, 一康

著者別名

フジシマ, カズヤス

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第4246号

学位授与年月日

1987-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 (6コマ目)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000021785
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000021810
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • und
  • NDL書誌ID
    • 000000186099
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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