InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究

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著者

    • 逢坂, 福信 オオサカ, フクノブ

書誌事項

タイトル

InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究

著者名

逢坂, 福信

著者別名

オオサカ, フクノブ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第6330号

学位授与年月日

1987-09-24

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000021916
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000021943
  • NDL書誌ID
    • 000000186230
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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