高密度MOSデバイスにおける,衝突電離に起因した特性劣化に関する研究

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著者

    • 松本, 平八 マツモト, ヘイハチ

書誌事項

タイトル

高密度MOSデバイスにおける,衝突電離に起因した特性劣化に関する研究

著者名

松本, 平八

著者別名

マツモト, ヘイハチ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5734号

学位授与年月日

1985-11-25

注記・抄録

博士論文

新制・論文博士

乙第5734号

論工博第1858号

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000022734
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000022762
  • DOI(JaLC)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000187048
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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