LPE growth and characterization of InGaAsP/InP quantum well structures and its application to semiconductor lasers 液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザーへの応用に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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LPE growth and characterization of InGaAsP/InP quantum well structures and its application to semiconductor lasers
- Other Title
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液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザーへの応用に関する研究
- Author
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佐々井, 洋一
- Author(Another name)
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ササイ, ヨウイチ
- University
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大阪大学
- Types of degree
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工学博士
- Grant ID
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乙第4284号
- Degree year
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1987-11-30
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 (9コマ目)