Characterization and low temperature annealing of ion-implanted semiconductors イオン・インプランテーションをした半導体の特性と低温度熱処理

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著者

    • 六倉, 信喜 ムツクラ, ノブキ

書誌事項

タイトル

Characterization and low temperature annealing of ion-implanted semiconductors

タイトル別名

イオン・インプランテーションをした半導体の特性と低温度熱処理

著者名

六倉, 信喜

著者別名

ムツクラ, ノブキ

学位授与大学

東京電機大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第9号

学位授与年月日

1984-03-09

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000028811
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000028860
  • NDL書誌ID
    • 000000193125
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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