高集積半導体素子製造におけるシリコンエピタキシャル成長技術の応用に関する研究

Access this Article

Search this Article

Author

    • 長尾, 繁雄 ナガオ, シゲオ

Bibliographic Information

Title

高集積半導体素子製造におけるシリコンエピタキシャル成長技術の応用に関する研究

Author

長尾, 繁雄

Author(Another name)

ナガオ, シゲオ

University

大阪大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第4409号

Degree year

1988-03-17

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 (4コマ目)
4access

preview

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000032846
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000032902
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • und
  • NDLBibID
    • 000000197160
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

Export

Page Top