Characterization of deep impurity levels in semiconductor devices by the junction capacitance method 接合容量法による半導体素子中の深い不純物準位の解析

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著者

    • 熊谷, 修 クマガイ, オサム

書誌事項

タイトル

Characterization of deep impurity levels in semiconductor devices by the junction capacitance method

タイトル別名

接合容量法による半導体素子中の深い不純物準位の解析

著者名

熊谷, 修

著者別名

クマガイ, オサム

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第3305号

学位授与年月日

1984-02-15

注記・抄録

博士論文

06309

博士(工学)

1984-02-15

大阪大学

14401第12345号

0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000035076
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000035137
  • NDL書誌ID
    • 000000199390
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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