Characterization of deep impurity levels in semiconductor devices by the junction capacitance method 接合容量法による半導体素子中の深い不純物準位の解析
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著者
書誌事項
- タイトル
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Characterization of deep impurity levels in semiconductor devices by the junction capacitance method
- タイトル別名
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接合容量法による半導体素子中の深い不純物準位の解析
- 著者名
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熊谷, 修
- 著者別名
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クマガイ, オサム
- 学位授与大学
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大阪大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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乙第3305号
- 学位授与年月日
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1984-02-15
注記・抄録
博士論文
