分子線エピタキシャル法による化合物半導体薄膜の成長過程 : InSb薄膜のヘテロ、ホモ-エピタキシャル成長 bunshisen epitakisharuho ni yoru kagobutsu handotai hakumaku no seicho katei : aienuesubi hakumaku no hetero homo epitakisharu seicho

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著者

    • 矢田, 雅規 ヤタ, マサノリ

書誌事項

タイトル

分子線エピタキシャル法による化合物半導体薄膜の成長過程 : InSb薄膜のヘテロ、ホモ-エピタキシャル成長

タイトル別名

bunshisen epitakisharuho ni yoru kagobutsu handotai hakumaku no seicho katei : aienuesubi hakumaku no hetero homo epitakisharu seicho

著者名

矢田, 雅規

著者別名

ヤタ, マサノリ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第735号

学位授与年月日

1987-10-15

注記・抄録

博士論文

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000035247
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000035308
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000199561
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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